廣電計(jì)量針對(duì)硅光芯片提供全流程的測(cè)試服務(wù)，覆蓋Si、SiN、LiNbO3等材料體系，支持硅光芯片、MPD、Heater、MZI、光波導(dǎo)、激光器等核心單元的工藝驗(yàn)證與失效分析。

   在參數(shù)測(cè)試方面，可完成耦合損耗、調(diào)制效率、傳輸損耗、帶寬、電阻、暗電流、響應(yīng)度、眼圖、模斑等項(xiàng)目，支持批量篩選與定制化測(cè)試方案；在可靠性驗(yàn)證方面，具備硅光芯片HTOL、HTRB、THB等老煉試驗(yàn)?zāi)芰?，全面評(píng)估器件長(zhǎng)期壽命。

   廣電計(jì)量實(shí)驗(yàn)室具備CNAS認(rèn)可資質(zhì)，配備專業(yè)光電測(cè)試平臺(tái)與失效分析技術(shù)團(tuán)隊(duì)，可依據(jù)GR-468及客戶委托標(biāo)準(zhǔn)，提供從研發(fā)驗(yàn)證到量產(chǎn)篩選的一站式解決方案。

服務(wù)范圍

功能單元：硅光芯片、MPD、Heater、MZI、光波導(dǎo)、激光器等

材料體系：Si、SiN、LiNbO3

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

GR-468，參考客戶委托

檢測(cè)項(xiàng)目

參數(shù)測(cè)試項(xiàng)目：耦合損耗、調(diào)制效率、傳輸損耗、帶寬、電阻、暗電流、響應(yīng)度、眼圖、模斑等，支持批量篩選，定制標(biāo)準(zhǔn)化測(cè)試方案

老煉以及可靠性驗(yàn)證：硅光芯片HTOL、HTRB、THB等試驗(yàn)，支持MPD、Heater、MZI、光波導(dǎo)、激光器。

服務(wù)背景

隨著 5G、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)等領(lǐng)域快速發(fā)展，對(duì)高速、低功耗、高集成度的光通信芯片需求激增，硅光芯片憑借與 CMOS 工藝兼容、成本低、體積小等優(yōu)勢(shì)成為行業(yè)焦點(diǎn)。但制造工藝復(fù)雜，易出現(xiàn)光學(xué)性能偏差、電學(xué)參數(shù)異常等問題，為保障其性能、質(zhì)量，滿足通信、數(shù)據(jù)中心等關(guān)鍵領(lǐng)域應(yīng)用需求，對(duì)硅光芯片測(cè)試和篩選至關(guān)重要。

我們的優(yōu)勢(shì)

?業(yè)和信息化部“?向集成電路、芯?產(chǎn)業(yè)的公共服務(wù)平臺(tái)"。

?東省?業(yè)和信息化廳“汽車芯?檢測(cè)公共服務(wù)平臺(tái)"。

江蘇省發(fā)展和改?委員會(huì)“第三代半導(dǎo)體器件性能測(cè)試與材料分析?程研究中?"

國內(nèi)完成激光發(fā)射器、探測(cè)器全套AEC-Q102車規(guī)認(rèn)證的前沿第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)。

有豐富的硅光芯片測(cè)試經(jīng)驗(yàn)和可靠性試驗(yàn)案例